AGR21125EF datasheet
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>> AGR21125EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
AGR21125EF
库存数量:
可订货
制造商:
TriQuint Semiconductor
描述:
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
AGR21125EF PDF下载
制造商
TriQuint Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
增益
14 dB
输出功率
28 W
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压
15 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
21125EF
封装
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属性
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供应商
公司名
电话
深圳市一线半导体有限公司
0755-83789203
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市诚达吉电子有限公司
15013829553
莫小姐
深圳市粤科源兴科技有限公司
13392885468
谢先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
牛保华
18020263256微信同号
牛保华
标准国际(香港)有限公司
0755-88607458
朱小姐
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
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